表示，随着市场竞争加剧，公司正在加大对其氮化镓（GaN）功率器件的承诺，并转向使用 200 毫米晶圆和 650V d 模式器件。
也通过与大功率芯片和英飞凌技术的合作，转向使用 200 毫米晶圆，而英飞凌技术正在准备在更大的 300 毫米晶圆上进行生产。
的举措是基于与美国 Polar 的最近合作协议，以及在 2027 年开始在日本第二个 200 毫米晶圆厂的生产。该公司宣布已暂停碳化硅（SiC）和 IGBT 硅功率器件的开发，以专注于 GaN。
“ 正加大 GaN 和 的投入，因为市场需求持续旺盛，”GaN 业务部门总经理 表示。这已经将 GaN 芯片开发商 （ 曾是联合创始人）与 的控制器和驱动芯片合并了。
他说，双向耗尽模式（dmode）器件结构更简单，每单位面积的导通电阻更低，从而降低了器件成本。重点是数据中心用的 650V 器件，而双向能力可以支持 ±400V，用于 推广的 800V 电力传输网络 联盟 。
然而，对于电压更高的 1200V 器件没有计划，这些器件此前在 公司正在开发中。“1200V 已暂停，因为我们正在监测市场并与客户沟通，” 表示。
市场分析人士预计，氮化镓在电力应用领域的收入将以每年36%的速度增长，到2030年将达到约25亿美元，尽管这可能是一个低估，因为该技术正驱动人工智能数据中心以提高效率。
氮化镓交易
半导体今日宣布与富鼎半导体制造股份有限公司（PSMC 或富鼎）建立战略合作关系，以开始生产并继续开发 200 毫米氮化镓 技术。
计划使用富鼎的 200 毫米 Fab 8B 工厂，位于台湾竹园科学园区，该工厂提供 180 纳米工艺，以改善性能、电源效率、集成度和成本。
“在 180 纳米工艺节点上进行 200 毫米氮化镓 生产使我们能够继续创新更高功率密度、更快、更高效的设备，同时同时提高成本、规模和制造良率”， WBG 技术平台高级副总裁 Sid 博士表示。
预计 将生产电压范围为 100V 至 650V 的 产品组合，以满足 48V 基础设施日益增长的氮化镓需求，包括超大规模人工智能数据中心和电动汽车。首批器件的认证预计在 2025 年第四季度完成。
100V 系列预计将在 2026 年上半年率先在 开始生产，而公司预计 650V 器件将在未来 12 至 24 个月内从 现有的供应商台积电 (TSMC) 转移到 。
“我们很荣幸能与 合作，推进 200 毫米氮化镓硅基生产，并期待在接下来的几年里共同推动持续创新，” 的 CEO 和联合创始人 Gene 表示。“通过我们与 的合作，我们有望在产品性能、技术进步和成本效率方面取得持续进展。”
“ 多年来一直与 合作氮化镓硅基技术，我们很高兴宣布产品认证即将完成——这使我们接近大规模生产，” 总裁 Chu 表示。
300毫米晶圆
英飞凌也预计，今年年底前将提供基于 300 毫米晶圆的 GaN 器件样品给客户。
“我们的全面扩展的 300 毫米 GaN 制造将使我们能够更快地为客户创造最大价值，同时朝着与硅和 GaN 产品实现成本平价的目标迈进，”英飞凌 GaN 业务线负责人约翰内斯·肖斯沃说。“在英飞凌 300 毫米 GaN 晶圆技术突破性进展宣布近一年后，我们很高兴看到我们的转型过程进展顺利，并且行业已经认识到英飞凌 GaN 技术的重要性，这得益于我们 IDM 战略的强大实力。”
更大的晶圆直径允许每块晶圆生产2.3倍的芯片，但也需要单台晶圆外延反应器，而不是处理多个200毫米晶圆，雷恩斯拉斯的帕里克说。
“从多晶圆反应器转向单晶圆反应器，300mm 晶圆的外延晶圆扩展非常不同，但真正的 影响 需要研究，”他说。“我们看到 8 英寸可以满足好几年，四到五年，因为低压器件和更薄的外延层将首先转向 12 英寸。”
